研究員
您當(dāng)前的位置:首頁 > 科研隊(duì)伍 > 研究員

王寶義


  • 類別: 研究員
  • 研究方向:

    核方法在物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究中的應(yīng)用

  • 學(xué)歷: 研究生畢業(yè)
  • Email: wangboy@ihep.ac.cn
  • 地址: 北京石景山區(qū)玉泉路19號(乙院)多學(xué)科研究中心
  • 郵編: 100049
簡歷介紹

1984年蘭州大學(xué)物理系畢業(yè),1997年在蘭州大學(xué)材料科學(xué)系獲得理學(xué)博士學(xué)位。1997年至1999年中國科學(xué)院高能物理研究所博士后。2004年被聘為中國科學(xué)院高能物理所研究員。

長期從事核分析技術(shù)及其在材料科學(xué)中的應(yīng)用研究,熟悉各類現(xiàn)代物理分析測試方法,具有豐富的核技術(shù)方法學(xué)研究經(jīng)驗(yàn)和工作積累。先后參加了多項(xiàng)國家自然科學(xué)基金、中國科學(xué)院基礎(chǔ)研究重點(diǎn)項(xiàng)目、中國科學(xué)院院長基金以及中科院創(chuàng)新基金項(xiàng)目等。目前主要負(fù)責(zé)1項(xiàng)中國科學(xué)院大型設(shè)備專項(xiàng)項(xiàng)目-北京慢正電子強(qiáng)束流測量方法學(xué)研究、1項(xiàng)國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目-正電子湮沒二維多譜勒系統(tǒng)與金屬間化合物晶體缺陷的研究。曾先后合作獲得過2項(xiàng)省級科技進(jìn)步獎、發(fā)明專利1項(xiàng),在新材料微觀結(jié)構(gòu)和晶體缺陷表征研究以及核技術(shù)方法學(xué)研究方面發(fā)表學(xué)術(shù)論文40余篇。目前主要研究內(nèi)容:微納米材料制備及微結(jié)構(gòu)表征;核技術(shù)方法學(xué)研究,包括用于表面、近表面研究的正電子束流技術(shù)研究;材料宏觀物理性能與微觀結(jié)構(gòu)的關(guān)聯(lián)等。

承擔(dān)科研項(xiàng)目情況
代表論著(中文)
代表論著(英文)
地址:北京市918信箱 郵編:100049 電話:86-10-88235008 Email:ihep@ihep.ac.cn
中國科學(xué)院高能物理研究所 備案序號:京ICP備05002790號-1 文保網(wǎng)安備案號: 110402500050