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高能同步輻射光源加速器建設(shè)成功 調(diào)束進(jìn)入快行道
文章來源:大裝置管理中心  2024-08-20
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818日,高能同步輻射光源(HEPS)儲(chǔ)存環(huán)流強(qiáng)達(dá)到12毫安,這是HEPS建設(shè)的又一重要里程碑,標(biāo)志著HEPS加速器進(jìn)入了調(diào)束快行道。

HEPS是我國及亞洲首臺(tái)第四代同步輻射光源,也是全球首批10皮米弧度量級(jí)自然發(fā)射度的光源之一,其核心是一臺(tái)具有極低發(fā)射度的全新儲(chǔ)存環(huán)加速器,物理設(shè)計(jì)極具挑戰(zhàn)性。在國際通用的混合多彎鐵消色散結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上,HEPS加速器設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)創(chuàng)新性地融合了包含縱向梯度二極鐵和反向彎轉(zhuǎn)二極鐵的新型單元節(jié)等多項(xiàng)創(chuàng)新設(shè)計(jì),完成了國際已建及在建同類光源中自然發(fā)射度指標(biāo)最高的儲(chǔ)存環(huán)設(shè)計(jì)方案。同時(shí),HEPS還首次提出并采用了基于增強(qiáng)器高能累積的置換注入方案,為高電荷量束團(tuán)置換注入開辟了新路徑。

HEPS工程總指揮潘衛(wèi)民研究員指出,“為了實(shí)現(xiàn)國際一流的加速器及光源整體性能,磁鐵、電源、真空、注入、機(jī)械、準(zhǔn)直、高頻、束測(cè)、控制、定時(shí)、插入件等硬件指標(biāo)要達(dá)到第四代光源的高標(biāo)準(zhǔn)和高要求。調(diào)束初期,儲(chǔ)存環(huán)就有1776塊磁鐵,2500余臺(tái)電源,578個(gè)電子束流位置探測(cè)器,1360米真空室,3個(gè)高頻腔,2臺(tái)脈沖沖擊器和切割磁鐵,控制信號(hào)超過10萬路,任何一個(gè)微小的硬件錯(cuò)誤,例如一個(gè)硬阻攔或設(shè)備安裝錯(cuò)位,都會(huì)影響電子束的軌跡,另外,HEPS與眾不同,它有注入和引出兩塊切割磁鐵,垂直物理孔徑僅兩三個(gè)毫米,對(duì)調(diào)束來說,這無疑是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)”。

經(jīng)過5年的建設(shè),今年71HEPS儲(chǔ)存環(huán)完成全部設(shè)備研制和安裝,啟動(dòng)多系統(tǒng)聯(lián)合調(diào)試,隨后加速器物理與各硬件系統(tǒng)交叉協(xié)作,完成磁鐵極性測(cè)試、硬件遠(yuǎn)控測(cè)試、調(diào)束軟件-硬件測(cè)試等加速器聯(lián)合調(diào)試。此外,為了應(yīng)對(duì)超低發(fā)射度儲(chǔ)存環(huán)首圈調(diào)束可能面臨的各種挑戰(zhàn),加速器物理與束測(cè)系統(tǒng)基于增強(qiáng)器開展了大量的束流實(shí)驗(yàn),為儲(chǔ)存環(huán)調(diào)束監(jiān)測(cè)手段做了充分準(zhǔn)備。

72312點(diǎn)45分,各系統(tǒng)認(rèn)真核查,并完成開機(jī)準(zhǔn)備單簽署后,HEPS儲(chǔ)存環(huán)正式開機(jī)調(diào)束。當(dāng)天,開機(jī)僅三個(gè)小時(shí)即實(shí)現(xiàn)了單束團(tuán)電子束的高能輸運(yùn)線傳輸及儲(chǔ)存環(huán)首次在軸注入,隨后成功實(shí)現(xiàn)單束團(tuán)電子束繞儲(chǔ)存環(huán)首次循環(huán)貫通。

開機(jī)以來,HEPS加速器部副主任焦毅研究員帶領(lǐng)平均年齡僅34歲的調(diào)束團(tuán)隊(duì),每天24小時(shí)不間斷地進(jìn)行調(diào)束。他提到,儲(chǔ)存環(huán)調(diào)束面臨物理孔徑嚴(yán)格限制(兩臺(tái)切割磁鐵處垂直物理孔徑僅±2.5 毫米)、動(dòng)力學(xué)孔徑?。s1 毫米)、軌道響應(yīng)非線性顯著、可調(diào)變量極多(僅校正子即有1000多個(gè)變量)、調(diào)束初期束流狀態(tài)監(jiān)測(cè)精度受限等多重困難和挑戰(zhàn),調(diào)束團(tuán)隊(duì)成員通力協(xié)作,各自發(fā)揮所長(zhǎng),通過采用逐校正子強(qiáng)度掃描、校正子組合搭配、工作點(diǎn)調(diào)節(jié)、高頻頻率及其他參數(shù)優(yōu)化、脈沖元件參數(shù)掃描、注入延時(shí)調(diào)節(jié)、注入束參數(shù)優(yōu)化、六極鐵強(qiáng)度優(yōu)化、局部軌道調(diào)節(jié)等能想到的各種手段,克服了各項(xiàng)困難和挑戰(zhàn)。

86日凌晨,HEPS儲(chǔ)存環(huán)首次成功實(shí)現(xiàn)單束團(tuán)束流存儲(chǔ)。隨后啟動(dòng)多束團(tuán)注入調(diào)試,并通過斜四極鐵強(qiáng)度調(diào)節(jié)、全局及局部閉軌測(cè)量與校正、注入束電荷量及穩(wěn)定性優(yōu)化等手段,持續(xù)提升存儲(chǔ)流強(qiáng)和束流壽命。

818日,儲(chǔ)存環(huán)成功存儲(chǔ)35個(gè)束團(tuán),流強(qiáng)達(dá)到12毫安。潘衛(wèi)民表示,“儲(chǔ)存環(huán)成功實(shí)現(xiàn)束流存儲(chǔ)是一項(xiàng)重大進(jìn)展,這表明我們前期的設(shè)備安裝、調(diào)試非常成功,也標(biāo)志著HEPS光源進(jìn)入了一個(gè)新的階段。”

HEPS科學(xué)技術(shù)委員會(huì)主任、儲(chǔ)存環(huán)調(diào)束總顧問陳森玉院士在親自參加調(diào)束后表示,“HEPS儲(chǔ)存環(huán)僅有毫米級(jí)的動(dòng)力學(xué)孔徑,加上注入引出區(qū)存在兩個(gè)垂直方向±2.5毫米的物理孔徑限制,其調(diào)束任務(wù)是異常艱巨的。HEPS調(diào)束團(tuán)隊(duì)在很短的時(shí)間內(nèi)就取得了很好的調(diào)束成果,可以說幾乎沒有走一點(diǎn)彎路,表現(xiàn)出色”。

在接下來的幾個(gè)月內(nèi),HEPS調(diào)束團(tuán)隊(duì)將再接再厲,提升和優(yōu)化電子束流流強(qiáng)、壽命等參數(shù),力爭(zhēng)盡早為光束線站供光。

HEPS是我國“十三五”期間優(yōu)先建設(shè)的國家重大科技基礎(chǔ)設(shè)施之一,是國家發(fā)展改革委批復(fù)立項(xiàng),中國科學(xué)院、北京市共建懷柔科學(xué)城的核心裝置,由中國科學(xué)院高能物理研究所承擔(dān)建設(shè),于20196月啟動(dòng)建設(shè),建設(shè)周期6.5年。目前,HEPS直線加速器、增強(qiáng)器已滿能量出束,儲(chǔ)存環(huán)正在束流調(diào)試,光束線站正在加緊設(shè)備安裝。建成后,HEPS可發(fā)射比太陽亮度高1萬億倍的光,將是世界上亮度最高的第四代同步輻射光源之一,也將是中國第一臺(tái)高能量同步輻射光源,使中國繼歐、美之后躋身為世界三大第四代高能同步輻射光源所在地之一,將與我國現(xiàn)有的光源形成能區(qū)互補(bǔ),面向航空航天、能源環(huán)境、生命醫(yī)藥等領(lǐng)域用戶開放。


附:儲(chǔ)存環(huán)調(diào)束進(jìn)展記錄

723日,HEPS儲(chǔ)存環(huán)開機(jī)調(diào)束,開機(jī)后三小時(shí)內(nèi),實(shí)現(xiàn)了單束團(tuán)電子束的高能輸運(yùn)線傳輸及儲(chǔ)存環(huán)首次在軸注入,并通過使用基于自主開發(fā)的物理調(diào)束軟件框架Pyapas的半自動(dòng)束流首圈軌跡調(diào)節(jié)程序,在實(shí)現(xiàn)電子束首次注入后不到五個(gè)小時(shí)的時(shí)間內(nèi),成功實(shí)現(xiàn)了電子束在儲(chǔ)存環(huán)上的首圈貫通。

729日,單束團(tuán)電子束循環(huán)超過10圈;隨后逐步開啟高頻腔、增加六極鐵強(qiáng)度,以補(bǔ)償束流同步輻射能量損失、自然色品。

86日,成功實(shí)現(xiàn)單束團(tuán)電子束存儲(chǔ),流強(qiáng)約60 微安,壽命超過1 分鐘,隨后開始多束團(tuán)注入調(diào)試。

818日,成功存儲(chǔ)35個(gè)束團(tuán),流強(qiáng)達(dá)到12毫安。


附錄:HEPS加速器相關(guān)技術(shù)水平

為了實(shí)現(xiàn)國際一流的加速器及光源整體性能,磁鐵、電源、真空、注入、機(jī)械、準(zhǔn)直、高頻、束測(cè)、控制、定時(shí)、插入件等硬件指標(biāo)要達(dá)到當(dāng)前所能達(dá)到的最好水平。

在磁鐵技術(shù)方面HEPS縱向梯度二極磁鐵采用了節(jié)能環(huán)保的永磁方案,積分磁場(chǎng)離散性達(dá)到±5×10-5,比第三代光源小一個(gè)數(shù)量級(jí),達(dá)到國際領(lǐng)先水平;超高梯度四極磁鐵的磁場(chǎng)梯度達(dá)到80 T/m,是第三代光源的4倍。

在準(zhǔn)直技術(shù)方面,HEPS預(yù)準(zhǔn)直首次采用多路激光邊長(zhǎng)交會(huì)測(cè)量法,在5m范圍內(nèi)穩(wěn)定實(shí)現(xiàn)了4μm絕對(duì)測(cè)量精度,儲(chǔ)存環(huán)精準(zhǔn)直全面測(cè)量在1360m狹長(zhǎng)隧道空間實(shí)現(xiàn)了絕對(duì)0.2mm、相對(duì)0.02mm的超高測(cè)量精度,首次研發(fā)了基于束流理論軌道和絕對(duì)偏差的偏差平滑法,達(dá)到國際最好水平。

在束測(cè)技術(shù)方面HEPS束流位置測(cè)量系統(tǒng)全部實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化,自主研發(fā)的數(shù)字束流位置電子學(xué)實(shí)驗(yàn)室測(cè)試結(jié)果優(yōu)于10 nm,達(dá)到國際先進(jìn)水平;成功建設(shè)束流截面診斷束線,可實(shí)現(xiàn)微米級(jí)束團(tuán)截面的精確測(cè)量,分辨率較三代光源提升一個(gè)量級(jí)。

在磁鐵電源技術(shù)方面HEPS電源實(shí)現(xiàn)了高精度全數(shù)字化閉環(huán)控制。HEPS儲(chǔ)存環(huán)四極磁鐵電源,基于軟開關(guān)拓?fù)涞葎?chuàng)新,輸出電流長(zhǎng)期穩(wěn)定度優(yōu)于10ppm,重復(fù)性優(yōu)于20ppm,準(zhǔn)確度優(yōu)于50ppm,比第三代光源小一個(gè)數(shù)量級(jí);快校正磁鐵電源,采用多電平逆變的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)等先進(jìn)設(shè)計(jì),小電流階躍響應(yīng)時(shí)間優(yōu)于75μs,輸出電流紋波優(yōu)于20ppm,達(dá)到國際先進(jìn)水平。

在真空技術(shù)方面,為了適應(yīng)緊湊型多彎鐵消色散磁聚焦結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),HEPS儲(chǔ)存環(huán)全面采用了小孔徑真空盒(最小內(nèi)徑8 mm),以及全新的真空盒內(nèi)壁非蒸散型吸氣劑(NEG)鍍膜技術(shù)。

在注入技術(shù)方面,HEPS采用相比第三代光源全新的在軸注入方案,并實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵設(shè)備的全國產(chǎn)化。切割磁鐵采用原創(chuàng)的半真空結(jié)構(gòu)形式,切割板厚度2mm,磁鐵場(chǎng)強(qiáng)為1T,達(dá)到國際領(lǐng)先水平;自主研發(fā)的超快脈沖電源,脈沖底寬小于10ns,脈沖電壓幅度大于±15kV,達(dá)到國際先進(jìn)水平。

在磁鐵單元的機(jī)械支撐技術(shù)方面HEPS自主研發(fā)了高剛性的精密楔形調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)、高彈?;炷粱捌洵h(huán)氧灌漿安裝工藝等,本征頻率達(dá)到70Hz,是第三代光源的3倍;同時(shí)運(yùn)動(dòng)分辨率達(dá)到1μm,為目前國內(nèi)外同尺度設(shè)備達(dá)到的最高指標(biāo)。

在高頻技術(shù)方面,HEPS自研的數(shù)字低電平系統(tǒng)以及自主開發(fā)的高頻控制軟件,在控制穩(wěn)定度方面與國際最好水平相當(dāng);全國產(chǎn)的260kW全固態(tài)功率源,性能指標(biāo)和功率等級(jí)均達(dá)到國際水平;全國產(chǎn)的500MHz超導(dǎo)腔,綜合性能指標(biāo)達(dá)到國際最好水平;成功自主研制的166MHz超導(dǎo)腔,是國際上首臺(tái)用于加速近光速粒子的四分之一波長(zhǎng)主動(dòng)型超導(dǎo)腔,實(shí)現(xiàn)了高階模式的深度抑制,即將安裝在儲(chǔ)存環(huán)上以進(jìn)一步提升束流流強(qiáng)。

在定時(shí)控制方面,HEPS基于micro TCA的事件定時(shí)技術(shù),實(shí)現(xiàn)了多環(huán)的靈活注入引出及升降能控制,同步精度在1.5公里范圍內(nèi)達(dá)到30 ps,關(guān)鍵設(shè)備達(dá)到10 ps以下;在電源控制方面,采用微服務(wù)及容器化布署,解決了2300余臺(tái)數(shù)字化電源的實(shí)時(shí)控制難題,電源同步控制延時(shí)低于4ms;處于國際先進(jìn)水平。

在插入件技術(shù)方面,HEPS成功研制了國際上周期長(zhǎng)度最短的低溫波蕩器CPMU12,關(guān)鍵指標(biāo)包括相位誤差和多極場(chǎng)誤差等均處于世界領(lǐng)先水平。此外,為滿足大視場(chǎng)X射線診斷和探傷的用戶需求,在國際上率先提出并研制了芒果型扭擺磁鐵;在國際上首次設(shè)計(jì)和制造四陣列Apple Knot型波蕩器,具有低熱負(fù)載、極化可調(diào)等優(yōu)點(diǎn)。


HEPS儲(chǔ)存環(huán)束流狀態(tài)圖,818日,儲(chǔ)存環(huán)束流流強(qiáng)達(dá)到12毫安

儲(chǔ)存環(huán)調(diào)束團(tuán)隊(duì)正在緊張工作

HEPS儲(chǔ)存環(huán)隧道內(nèi)

HEPS航拍圖(20248月拍攝)


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